Produzimos os nossos materiais semicondutores sob os mais rigorosos controlos de qualidade. Trabalhamos apenas com o estado-da-arte epitaxia, transformação e tecnologia de revestimento da faceta. Nossos Bares, semi-bares e os emissores único para alta potência de laser de diodo, por conseguinte, atender às demandas mais exigentes: Eles são extremamente confiáveis, eficientes e duráveis. Nossos produtos semicondutores são facilmente montadas utilizando métodos de soldadura.
Apresentam
Largura do espectro de 5nm, 100um largura do emissor
1W/uma eficiência de declive, 50% a eficiência de conversão
Estrutura epitaxial design otimizado
Tecnologia exclusiva para maior confiabilidade e durabilidade
Aplicação
Fonte de bombeamento de Laser de fibra
Lidar de condução autónoma
Espaço livre comunicação óptica
Iluminação a laser
Fotografia do produto
Optical | Min | Typ | Max |
Comprimento de Onda Central | 966nm | 976nm | 986nm |
Potência de saída | 2W | ||
Modo de Trabalho | CW | ||
Largura do espectro | 5 nm | ||
Largura do emissor | 100um | ||
Número de Emissor | 1 | ||
Passo do emissor | 100um | ||
Largura do chip | 490um | 500um | 510um |
Comprimento da cavidade | 980um | 1000um | 1020um |
Espessura | 130um | 135 um | 145um |
Eixo rápida divergência(FWHM) | 35graus | ||
Desvio do eixo para lenta (FWHM) | 10graus | ||
Modo de polarização | TE | ||
Eficiência de inclinação | 0,95 W/A | 1W/A | |
Equipamentos eléctricos | |||
Corrente operacional Iop | 2,5A | ||
Corrente de limiar om | 0.4A | ||
Tensão de funcionamento Vop | 1,6 V | ||
Eficiência de conversão | 50% | ||
Thermal | |||
Temperatura de ensaio | 25ºC | ||
Coeficiente de Temperatura do comprimento de onda | 0,35Nm/ºC |
Entrega e embalagem